pn结

pn结（p-njunction）具有可用于现代电子工程的特性。P型半导体和N型半导体都具有良好的导电性。然而，两者之间的结则不然。该区域称为耗尽区，它的发生是因为P型半导体的载流子空穴和N型半导体的载流子电子在吸引力的作用下复合并消失。是一种允许电流沿一个方向流动，但不允许电流沿一个方向流动的器件。电流向另一个方向流动。这个特性用正向偏压和反向偏压来解释。这里，偏压一词的意思是向pn结施加电压。

虽然前工人将其表达为低电导率区域，但这是解释含义的结果，并且由于电子的均匀化熵而产生电势垒。

考虑到所谓空穴就是没有电子的部分，p型半导体处于低电子密度状态，n型半导体处于高电子密度状态，在这种状态下，如果它们结合在一起后，两个半导体的电子密度趋于相同，因此，空穴和电子会传递到对面的半导体，但是，由于每个半导体都处于稳定状态（电子和空穴不存在的状态） pass)，这种现象发生在结点n->p的方向上，产生一个电场 ，这个电场就变成了反向电压。

pn结正向偏压是指P型部分加(+)电压，N型部分加(-)电压，如下图所示，此时P区空穴，电子在P区N区被吸引向结（P区的正电荷排斥空穴，N区的负电荷排斥电子），因此，耗尽区的宽度当然会减小，在这种情况下，电势P-N结的势垒降低，电阻变低。

pn结反向偏压是指向N型部分施加(+)电压、向P型部分施加(-)电压的情况，与正向偏压相反。

这提高了内置电势平衡状态，使得载流子不能移动到相反的状态，因此没有电流流动。

然而，如果施加高反向偏压，则会因击穿而形成反向电流。