薄膜晶体管

薄膜晶体管（薄膜-，Thin Film Transistor，TFT，术语：薄膜三极管磁性液晶显示器件，薄膜三极管显示器件）是场效应晶体管（FET）的一种，其形式为薄膜。基本上是一种三端器件（背栅（B）不存在）。薄膜晶体管主要应用于液晶显示器。1949年发布了采用CdSe作为半导体有源层的TFT，用于固态1973年公布了驱动显示器（LCD）的实例。半导体中有使用Si的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜。发展取得进展。非晶硅和多晶硅薄膜晶体管已广泛应用于彩色TFT -LCD。

根据栅极端子位置的不同，有四种类型：交错型、倒交错型、共面型、倒共面型。

在倒置型中，栅极端子附着在基板上；在交错型中，漏极端子和源极端子添加在与沟道层偏移的轴上；在牛平面型中，漏极端子和源极端子直接附着通道层旁边，有可以附加的功能。

与一般的MOS不同，由于电导是通过形成积累层而不是反型层来形成的，所以n型载流子是电子，p型载流子是空穴，可以清楚地看到，沟道层中没有看到增加了通用MOS结构。

薄膜晶体管一词源于通过真空沉积、溅射或使用等离子体化学气相沉积（等离子体CVD）在玻璃或石英等基板上形成半导体层、栅极绝缘膜、构成晶体管的电极、保护绝缘膜，并以塑料为基板进行研究开发。

由于没有形成反型层，所以阈值（阈值电压）的含义与MOS不同。不存在）基本公式或概念与MOS相同，因此可以照原样应用该概念。

目前，氢化非晶硅(a-Si:H:氢化非晶硅)广泛用于沟道层，但存在阈值电压随时间、栅极电压和温度不稳定的问题。

由于沉积电子的影响，这分为三种类型。

• 带隙内部存在的亚稳态：基本上是栅极施加电压较低时的主要因素
• 绝缘层内部：电压较低时
• 界面状态：通常被忽略

一些制造商正在采取措施，通过施加电压并加热一定时间，将不稳定的价带连接稳定为悬空键（缺陷），通过栅极施加电压激发（返回到原始值）。

此外，使用有机材料的薄膜晶体管和透明薄膜晶体管的研究也在积极进行。